Kwalifikacja: ELE.05 - Eksploatacja maszyn, urządzeń i instalacji elektrycznych

Na rysunkach łatwo się pomylić, bo wszystkie symbole wyglądają na pierwszy rzut oka podobnie, ale każdy z nich reprezentuje zupełnie inny element i inną zasadę działania. Dwie ilustracje z literami A i K pokazują tyrystory lub elementy pokrewne – tam występują anoda i katoda, a sterowanie odbywa się przez elektrodę G, która nie jest izolowana jak w tranzystorze z bramką izolowaną. Widać po prostu strukturę przypominającą diodę z dodatkową elektrodą, często z jakimś oznaczeniem optycznym lub blokującym, ale nigdzie nie ma symbolu kondensatora między bramką a częścią mocy. To ważny szczegół. Ilustracja z oznaczeniami G, D, S to natomiast klasyczny tranzystor MOSFET z izolowaną bramką, ale polowy, nie bipolarny. Tu nazwy końcówek są inne: dren (D) i źródło (S), a nie kolektor i emiter. Typowy błąd myślowy polega na tym, że ktoś widzi izolowaną bramkę (symbol kondensatora) i automatycznie uznaje, że to musi być poszukiwany element. Tymczasem pytanie dotyczy konkretnego typu: tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką, czyli IGBT. Właśnie dlatego trzeba patrzeć jednocześnie na rodzaj wyprowadzeń oraz kształt symbolu. Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką łączy w sobie cechy BJT i MOSFET-a, więc na schemacie ma bramkę jak MOSFET (oddzieloną kreską kondensatora), ale wyjście opisane jako kolektor i emiter oraz charakterystyczną strzałkę w nodze emitera. Jeśli na symbolu nie ma pary C/E, tylko A/K albo D/S, to nie jest to IGBT i nie spełnia warunku z treści pytania. W praktyce w dokumentacji i normach schematowych ten sposób oznaczania jest dość konsekwentnie stosowany, więc warto się do niego przyzwyczaić, bo później ułatwia to czytanie schematów zasilaczy, falowników czy układów sterowania silnikami.