Kwalifikacja: INF.02 - Administracja i eksploatacja systemów komputerowych, urządzeń peryferyjnych i lokalnych sieci komputerowych
Zawód: Technik informatyk
Obecnie pamięci podręczne drugiego poziomu procesora (ang. "L-2 cache") są zbudowane z układów pamięci
Odpowiedzi
Informacja zwrotna
Odpowiedź SRAM (Static Random-Access Memory) jest poprawna, ponieważ pamięci podręczne drugiego poziomu (L2) w nowoczesnych procesorach korzystają z tej technologii. SRAM charakteryzuje się szybką dostępnością oraz brakiem potrzeby odświeżania, co czyni ją idealnym wyborem dla pamięci cache, gdzie kluczowe są niskie opóźnienia i wysokie prędkości. Przykładem zastosowania SRAM w praktyce jest jego wykorzystanie w układach CPU, gdzie pamięć L2 przechowuje często używane dane i instrukcje, co znacząco przyspiesza operacje procesora. W przeciwieństwie do DRAM, która jest wolniejsza i wymaga odświeżania, SRAM zapewnia nieprzerwaną dostępność informacji, co wspiera efektywność obliczeń. Dobre praktyki inżynieryjne w projektowaniu układów scalonych preferują SRAM do implementacji pamięci cache ze względu na jej wyższe parametry wydajnościowe. Warto również wspomnieć, że rozwój technologii SRAM dąży do miniaturyzacji i zwiększenia gęstości, co wpływa na ogólną wydajność systemów obliczeniowych.
Odpowiedzi ROM, DRAM i EEPROM nie są prawidłowe w kontekście pamięci podręcznych drugiego poziomu. ROM (Read-Only Memory) to pamięć, która jest przeznaczona głównie do przechowywania stałych danych, takich jak oprogramowanie układowe. Ze względu na swoją naturę, ROM nie jest odpowiedni do dynamicznego przechowywania danych, które często się zmieniają w trakcie pracy procesora. Z kolei DRAM (Dynamic Random-Access Memory) jest wykorzystywana głównie jako pamięć główna w systemach komputerowych, a nie w pamięciach cache. DRAM wymaga ciągłego odświeżania, co wprowadza dodatkowe opóźnienia, które są nieakceptowalne w kontekście pamięci podręcznej, gdzie kluczowe jest szybkie dostarczanie danych do procesora. Zastosowanie EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) również nie jest właściwe, ponieważ ta technologia jest przeznaczona do przechowywania danych, które muszą być programowane i kasowane elektrycznie, co czyni ją zbyt wolną dla pamięci cache. Typowy błąd myślowy prowadzący do wyboru błędnych odpowiedzi to mylenie różnych typów pamięci ze względu na ich przeznaczenie i charakterystykę działania. Stosowanie pamięci RAM w kontekście pamięci podręcznej powinno być oparte na zrozumieniu wymagań dotyczących szybkości, opóźnień i efektywności energetycznej, co podkreśla znaczenie wyboru SRAM w tej roli.