Prawidłowa odpowiedź to wzmocnienie prądowe I₀/I₁, bo właśnie ten parametr jest kluczowy dla fototranzystorów. W praktyce najczęściej spotykam się z sytuacjami, gdzie wzmocnienie prądowe decyduje o tym, jak czuły i użyteczny będzie dany fototranzystor w realnych aplikacjach, np. w barierach optycznych, czy w czujnikach poziomu światła. To wzmocnienie określa, ile razy prąd wyjściowy (kolektora) jest większy od prądu wejściowego generowanego przez światło padające na bazę tranzystora. W wielu katalogach producenci podają ten parametr jako najważniejszy, bo użytkownik od razu wie, jak bardzo sygnał świetlny zostanie spotęgowany na wyjściu. Moim zdaniem, bez tej wiedzy trudno byłoby dobrać odpowiedni fototranzystor do układu – dlatego tak się na tym skupia branża. Warto też pamiętać, że wzmocnienie prądowe zależy nie tylko od samej struktury tranzystora, ale też od warunków pracy, takich jak temperatura czy natężenie oświetlenia. W praktycznych projektach zawsze warto robić pomiary, bo katalogowe wzmocnienie czasem odbiega od rzeczywistego – to taka moja dygresja z laboratoriów. Generalnie, jeżeli interesuje Cię projektowanie układów optoelektronicznych, to wzmocnienie prądowe będzie jednym z podstawowych pojęć. Branżowe standardy i dokumentacje aplikacyjne wręcz wymagają jego podawania. Dobre praktyki mówią, żeby zawsze sprawdzać, czy wzmocnienie jest wystarczające do zamierzonej funkcji układu – bez tego trudno o stabilną i pewną pracę urządzenia.
Wiele osób wybiera błędne odpowiedzi, kierując się pozornie logicznymi skojarzeniami. Weźmy na przykład rezystancję wewnętrzną – owszem, każdy element półprzewodnikowy ma jakąś rezystancję, ale w przypadku fototranzystora nie jest to najważniejszy parametr, bo nie informuje nas ona o czułości na światło ani o tym, jak sygnał wejściowy zostanie spotęgowany na wyjściu. To może być mylące, szczególnie jeśli ktoś pracował wcześniej z rezystorami lub klasycznymi tranzystorami. Kolejna błędna odpowiedź to indukcja magnetyczna B – i tu jest typowy błąd polegający na myleniu różnych dziedzin elektroniki. Fototranzystor nie jest elementem reagującym na pole magnetyczne, lecz na światło (czyli fotony), więc ten parametr w ogóle nie dotyczy jego pracy. Często się spotykam z tym, że ktoś wrzuca do jednego worka wszystkie wielkości fizyczne, które kojarzą mu się z elektroniką, ale tu akurat chodzi zupełnie o co innego. Ostatni zły trop to współczynnik wypełnienia – być może to skojarzenie z techniką impulsową, przetwornicami czy falownikami, gdzie ten parametr rzeczywiście jest istotny. W kontekście fototranzystorów współczynnik wypełnienia nie ma jednak znaczenia, bo nie pracują one typowo w trybie sygnałów prostokątnych wymagających analizy tej wielkości. Z mojego doświadczenia wynika, że najczęstszym powodem błędów jest po prostu nieznajomość specyficznych parametrów danego elementu i wrzucanie do odpowiedzi tego, co wydaje się znane z innych zagadnień. Dlatego tak ważne jest skupienie się na tym, czym naprawdę wyróżnia się fototranzystor, a jest to właśnie jego wzmocnienie prądowe związane z oddziaływaniem światła na strukturę półprzewodnikową. Branża zawsze zwraca na to uwagę, bo pozwala szybko ocenić, czy dany układ nada się do detekcji słabych sygnałów optycznych.