Współczynnik wzmocnienia prądowego B tranzystora bipolarnego n-p-n, znany również jako β (beta), definiowany jest jako stosunek prądu kolektora I<sub>C</sub> do prądu bazy I<sub>B</sub>. Dlatego do jego wyliczenia niezbędne są wartości I<sub>B</sub> i I<sub>C</sub>. W praktycznych zastosowaniach, znajomość tego współczynnika jest kluczowa przy projektowaniu układów elektronicznych, ponieważ pozwala na określenie, jak duży prąd kolektora możemy uzyskać przy danym prądzie bazy. W przypadku układów wzmacniaczy, na przykład, właściwy dobór tranzystora i jego współczynnika wzmocnienia wpływa na charakterystykę pracy całego obwodu. Warto również zauważyć, że β jest zmienny w zależności od warunków pracy tranzystora, co powinno być uwzględnione w obliczeniach i projektach. Dlatego dobrym zwyczajem jest zawsze sprawdzenie specyfikacji producenta, aby uzyskać dokładne wartości dla danego zastosowania.
Wybór U<sub>CE</sub> i I<sub>C</sub> jako podstawowych parametrów do obliczenia współczynnika wzmocnienia prądowego B jest błędny, ponieważ te wartości nie wpływają bezpośrednio na ten współczynnik. U<sub>CE</sub>, napięcie kolektor-emiter, jest parametrem, który ma znaczenie dla działających tranzystorów, ale nie jest używany do obliczeń współczynnika wzmocnienia. Bliższe przyjrzenie się zależnościom pokazuje, że I<sub>C</sub> jest rezultatem działania prądu I<sub>B</sub> w kontekście współczynnika wzmocnienia, a nie jego samodzielnym wskaźnikiem. Wybór U<sub>BE</sub> i I<sub>B</sub> także nie jest poprawny, ponieważ napięcie U<sub>BE</sub> odnosi się do napięcia baza-emiter, które ma wpływ na wprowadzenie prądu do tranzystora, ale nie jest bezpośrednio związane z obliczeniem β. Z kolei IC i PC, czyli moc kolektora, również nie wskazują na odpowiednie parametry do obliczenia wzmocnienia, gdyż moc zależy od wartości prądu kolektora i napięcia kolektor-emiter, lecz nie wyraża relacji między prądami bazy i kolektora. Typowym błędem jest mylenie zależności między tymi parametrami, co prowadzi do nieporozumień w projektowaniu i analizowaniu układów elektronicznych.