Tranzystor IGBT
Słownik kwalifikacji ELE.01 - Montaż i obsługa maszyn i urządzeń elektrycznych
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) to tranzystor bipolarny z izolowaną bramką. Jest półprzewodnikowym przyrządem mocy stosowanym do załączania i wyłączania dużych prądów oraz napięć.
Wyprowadzenia
Typowe oznaczenia końcówek IGBT to:
- G – bramka (Gate),
- C – kolektor (Collector),
- E – emiter (Emitter).
Bramka jest odizolowana od struktury półprzewodnikowej, dlatego IGBT steruje się głównie napięciem między bramką a emiterem, a nie prądem bazy jak w tranzystorze bipolarnym BJT.
Dlaczego IGBT jest sterowany napięciowo?
Do włączenia tranzystora IGBT należy podać odpowiednie napięcie UGE między bramkę i emiter. Prąd bramki w stanie ustalonym jest bardzo mały, ponieważ bramka ma charakter pojemnościowy. Prąd pojawia się głównie podczas przełączania, gdy ładowana lub rozładowywana jest pojemność bramki.
Zastosowania
Tranzystory IGBT stosuje się w układach energoelektronicznych, np.:
- falownikach,
- napędach silników elektrycznych,
- zasilaczach dużej mocy,
- przekształtnikach energii,
- układach sterowania grzałkami i spawarkami.
Ważne porównanie egzaminacyjne
- Dioda – element niesterowany.
- Tyrystor – element półsterowany, można go włączyć impulsem bramkowym, ale zwykle nie można nim swobodnie wyłączyć prądu.
- Tranzystor bipolarny BJT – sterowany prądowo.
- IGBT/MOSFET – sterowane napięciowo.