MOSFET to tranzystor polowy z izolowaną bramką. Skrót pochodzi od ang. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. W pytaniach egzaminacyjnych może być opisany jako tranzystor z izolowaną bramką.
Wyprowadzenia MOSFET-a
Typowy MOSFET ma trzy główne elektrody:
- G – bramka (gate),
- D – dren (drain),
- S – źródło (source).
Bramka jest odizolowana od kanału cienką warstwą dielektryka, dlatego prąd bramki jest bardzo mały. MOSFET jest sterowany głównie napięciowo, a nie prądowo.
Charakterystyka przejściowa
Charakterystyka przejściowa MOSFET-a pokazuje zależność:
ID = f(UGS) lub ID = f(VGS)
gdzie:
- ID – prąd drenu,
- UGS / VGS – napięcie bramka–źródło.
Na wykresie dla MOSFET-a często widać, że po przekroczeniu napięcia progowego UGS(th) prąd drenu gwałtownie rośnie. Oś pionowa bywa opisana jako Drain Current ID, a oś pozioma jako Gate to Source Voltage VGS.
Jak rozpoznać na egzaminie?
Jeżeli na charakterystyce występują oznaczenia:
- ID – prąd drenu,
- VGS – napięcie bramka–źródło,
- VDS – napięcie dren–źródło,
to najczęściej chodzi o tranzystor MOSFET, czyli tranzystor z izolowaną bramką.
Zastosowania
MOSFET-y stosuje się m.in. w:
- układach przełączających,
- zasilaczach impulsowych,
- sterownikach silników,
- układach cyfrowych CMOS,
- wzmacniaczach i przetwornicach.