| Specyfikacja wzoru: PC 100-abc-def jednolitego sposobu oznaczania pamięci. | ||
| a | CL (ang. CAS Latency) | minimalna liczba cykli sygnału taktującego, liczona podczas operacji odczytu, od momentu uaktywnienia sygnału CAS, do momentu pojawienia się danych na wyjściu modułu DIMM (wartość CL wynosi zwykle 2 lub 3); |
| b | tRCD (ang. RAS to CAS Delay) | minimalne opóźnienie pomiędzy sygnałami RAS i CAS, wyrażone w cyklach zegara systemowego; |
| c | tRP (ang. RAS Precharge) | czas wyrażony w cyklach zegara taktującego, określający minimalną pauzę pomiędzy kolejnymi komendami, wykonywanymi przez pamięć; |
| d | tAC | Maksymalny czas dostępu (wyrażony w nanosekundach); |
| e | SPD Rev | specyfikacja komend SPD (parametr może nie występować w oznaczeniach); |
| f | Parametr zapasowy | ma wartość 0; |
